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DMN3190LDW-7 Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 30 V 1 A 320 mW Montaje en superficie SOT-363
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.58000 $0.58
10 0.41600 $4.16
100 0.24840 $24.84
500 0.14420 $72.10
1,000 0.11248 $112.48
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key DMN3190LDW-7DICT-ND
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Cantidad disponible 0
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

DMN3190LDW-7

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Descripción MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
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Plazo estándar del fabricante 32 semanas
Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 30 V 1 A 320 mW Montaje en superficie SOT-363

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Documentos y medios
Hojas de datos DMN3190LDW
Información de RoHS RoHS, REACH Cert of Compliance
Ensamble/origen de PCN Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015
Hoja de datos de HTML DMN3190LDW
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal N (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 190 mOhm a 1.3 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.8 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 2 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 87 pF a 20 V
Potencia máxima 320 mW
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-363
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres DMN3190LDW-7DICT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad mínima: 10,000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.07840
  • Cinta cortada (CT) ? : DMN3190LDW-13DICT-ND
  • Cantidad mínima: 1
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