DMN3150L-7 Diodes Incorporated | Productos semiconductores discretos

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DMN3150L-7 Canal N Montaje en superficie 28V 3.8 A (Ta) 1.4 W (Ta) SOT-23-3

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Información general del producto

Número de pieza de Digi-Key	DMN3150LDICT-ND	Copiar
Cantidad disponible	22,265 Disponible para envío inmediato
Fabricante	Diodes Incorporated	Copiar
Número de pieza del fabricante	DMN3150L-7	Copiar
Descripción	MOSFET N-CH 28V 3.2A SOT23-3	Copiar
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 28V 3.8 A (Ta) 1.4 W (Ta) SOT-23-3	Copiar

Documentos y medios

Hojas de datos	DMN3150L
Información de RoHS	RoHS Cert
Diseño/especificación de PCN	Bond Wire 23/May/2008 Green Encapsulate 15/May/2008
Otro PCN	Multiple Device Changes 29/Apr/2013

Atributos del producto	Seleccionar todos
Categorías	Productos semiconductores discretos
Categorías	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Empaquetado	Cinta cortada (CT)
Estado de la pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	28V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC	3.8 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	2.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C	85 mOhm a 3.6 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id	1.4 V a 250µA
Vgs (máx.)	±12 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	305pF @ 5V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (máx.)	1.4 W (Ta)
Temperatura de operación	-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3