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DMN30H4D0LFDE-7 Canal N Montaje en superficie 300V 550 mA (Ta) 630 mW (Ta) U-DFN2020-6 (típico E)
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.63000 $0.63
10 0.53800 $5.38
100 0.40950 $40.95
500 0.30656 $153.28
1,000 0.24221 $242.21
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key DMN30H4D0LFDE-7DICT-ND
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Cantidad disponible 1,102
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

DMN30H4D0LFDE-7

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Descripción MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN
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Plazo estándar del fabricante 28 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 300V 550 mA (Ta) 630 mW (Ta) U-DFN2020-6 (típico E)

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Documentos y medios
Hojas de datos DMN30H4D0LFDE
Información de RoHS RoHS, REACH Cert of Compliance
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 300V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 550 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.7 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4 Ohm a 300 mA, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.8 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 7.6nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 187.3pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 630 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor U-DFN2020-6 (típico E)
Paquete / Caja (carcasa) Placa descubierta 6-UDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres DMN30H4D0LFDE-7DICT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : DMN30H4D0LFDE-7DITR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
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