DMN3067LW-7 Diodes Incorporated | Productos semiconductores discretos

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DMN3067LW-7 Canal N Montaje en superficie 30V 2.6 A (Ta) 500 mW (Ta) SOT-323

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Información general del producto

Número de pieza de Digi-Key	DMN3067LW-7DICT-ND	Copiar
Cantidad disponible	23,976 Disponible para envío inmediato Stock en fábrica : 9,000
Fabricante	Diodes Incorporated	Copiar
Número de pieza del fabricante	DMN3067LW-7	Copiar
Descripción	MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323	Copiar
Plazo estándar del fabricante	32 semanas
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30V 2.6 A (Ta) 500 mW (Ta) SOT-323	Copiar

Documentos y medios

Hojas de datos	DMN3067LW
Información de RoHS	RoHS Cert
Ensamble/origen de PCN	Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015
Modelos EDA / CAD	Descargar de Ultra Librarian

Atributos del producto	Seleccionar todos
Categorías	Productos semiconductores discretos
Categorías	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Empaquetado	Cinta cortada (CT)
Estado de la pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC	2.6 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	2.5 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C	67 mOhm a 2.5 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id	1.5 V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	4.6nC @ 4.5V
Vgs (máx.)	±12 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	447pF @ 10V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (máx.)	500 mW (Ta)
Temperatura de operación	-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-323
Paquete / Caja (carcasa)	SC-70, SOT-323