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Índice de productos > Productos semiconductores discretos > Transistores - FET, MOSFET - Individual > Diodes Incorporated DMN3067LW-7
DMN3067LW-7 Diodes Incorporated | DMN3067LW-7DICT-ND DigiKey Electronics

DMN3067LW-7 Canal N Montaje en superficie 30V 2.6 A (Ta) 500mW (Ta) SOT-323
Precio y compra
30,194 En Stock
Disponible para envío inmediato Stock en fábrica : 66,000
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.38000 $0.38
10 0.28900 $2.89
25 0.26040 $6.51
100 0.13740 $13.74
500 0.12174 $60.87
1,000 0.09474 $94.74
Se pueden aplicar tarifas de importación a esta pieza si se envía a los Estados Unidos.

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : DMN3067LW-7DITR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 30,000 - Inmediata
    66,000 - Stock en fábrica 
  • Precio unitario: $0.08669
  • Digi-Reel®  : DMN3067LW-7DIDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 30,194 - Inmediata
    66,000 - Stock en fábrica 
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

DMN3067LW-7

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key DMN3067LW-7DICT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante DMN3067LW-7
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Descripción MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323
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Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 2.6 A (Ta) 500mW (Ta) SOT-323

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Documentos y medios
Hojas de datos DMN3067LW
Información de RoHS Diodes RoHS 3 Cert
Ensamble/origen de PCN Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015
Modelos EDA/CAD DMN3067LW-7 by Ultra Librarian
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías Productos semiconductores discretos
Transistores - FET, MOSFET - Individual
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 2.6 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 67mOhm a 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id 1.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 4.6nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 447pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-323
Paquete / Caja (carcasa) SC-70, SOT-323
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres DMN3067LW-7DICT