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DMN3032LE-13 Canal N Montaje en superficie 30V 5.6 A (Ta) 1.8 W (Ta) SOT-223
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1 0.70000 $0.70
10 0.59300 $5.93
100 0.45070 $45.07
500 0.33734 $168.67
1,000 0.26651 $266.51
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key DMN3032LE-13DICT-ND
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Cantidad disponible 2,147
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

DMN3032LE-13

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Descripción MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223
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Plazo estándar del fabricante 28 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 5.6 A (Ta) 1.8 W (Ta) SOT-223

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Documentos y medios
Hojas de datos DMN3032LE
Información de RoHS RoHS, REACH Cert of Compliance
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
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Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 5.6 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 29 mOhm a 3.2 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 11.3nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 498pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.8 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-223
Paquete / Caja (carcasa) TO-261-4, TO-261AA
Número de pieza base DMN3032
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres DMN3032LE-13DICT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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00:53:03 10/23/2018