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DMN3010LK3-13 Canal N Montaje en superficie 30V 13.1 A (Ta), 43 A (Tc) 1.6 W (Ta) TO-252-3
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key DMN3010LK3-13-ND
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Cantidad disponible 0
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

DMN3010LK3-13

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Descripción MOSFET N-CH 30V 43A TO252
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Plazo estándar del fabricante 24 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 13.1 A (Ta), 43 A (Tc) 1.6 W (Ta) TO-252-3

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Documentos y medios
Hojas de datos DMN3010LK3
Información de RoHS RoHS, REACH Cert of Compliance
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Empaquetado ? Cinta y rollo (TR) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 13.1 A (Ta), 43 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 9.5 mOhm a 18 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 37nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2075pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.6 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-252-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 2,500

01:53:23 10/21/2018