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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key DMN26D0UFB4-7DICT-ND
Cantidad disponible 212,420
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

DMN26D0UFB4-7

Descripción MOSFET N-CH 20V 230MA DFN
Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 230 mA (Ta) 350 mW (Ta) X2-DFN1006-3

Documentos y medios
Hojas de datos DMN26D0UFB4
Información de RoHS RoHS, REACH Cert of Compliance
Diseño/especificación de PCN DFN1006-2,DFN1006-3 Part Marking Chg 27/Oct/2015
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Assembly/Test Sit Add 1/Mar/2018
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 230 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.5 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3 Ohm a 100 mA, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.1 V a 250 µA
Vgs (máx.) ±10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 14.1pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 350 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor X2-DFN1006-3
Paquete / Caja (carcasa) 3-XFDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres DMN26D0UFB4-7DICT

02:19:02 7/22/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.44000 $0.44
10 0.40000 $4.00
100 0.22390 $22.39
500 0.11994 $59.97
1,000 0.08155 $81.55

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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : DMN26D0UFB4-7DITR-ND
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