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DMN2300UFB4-7B Canal N Montaje en superficie 20V 1.3 A (Ta) 500 mW (Ta) X2-DFN1006-3
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1 0.53000 $0.53
10 0.38200 $3.82
100 0.22520 $22.52
500 0.12748 $63.74
1,000 0.09773 $97.73
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key DMN2300UFB4-7BDICT-ND
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Cantidad disponible 201,648
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

DMN2300UFB4-7B

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Descripción MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
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Plazo estándar del fabricante 40 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 1.3 A (Ta) 500 mW (Ta) X2-DFN1006-3

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Documentos y medios
Hojas de datos DMN2300UFB4
Información de RoHS RoHS Cert
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Assembly/Test Sit Add 1/Mar/2018
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1.3 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.5 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 175 mOhm a 300 mA, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 950 mV a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 1.6nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±8 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 64.3pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 500 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor X2-DFN1006-3
Paquete / Caja (carcasa) 3-XFDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres DMN2300UFB4-7BDICT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : DMN2300UFB4-7BDITR-ND
  • Cantidad mínima: 10,000
  • Cantidad disponible: 190,000 - Inmediata
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 201,648 - Inmediata
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12:19:31 12/13/2018