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DMN2065UW-7 Canal N Montaje en superficie 20V 2.8 A (Ta) 430 mW (Ta) SOT-323
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1 0.48000 $0.48
10 0.34300 $3.43
100 0.22840 $22.84
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key DMN2065UW-7DICT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

DMN2065UW-7

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Descripción MOSFET N CH 20V 2.8A SOT323
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 2.8 A (Ta) 430 mW (Ta) SOT-323

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Documentos y medios
Hojas de datos DMN2065UW
Información de RoHS RoHS, REACH Cert of Compliance
Ensamble/origen de PCN Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza No para diseños nuevos
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.8 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.5 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 56 mOhm a 2 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 5.4nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±12 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 400pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 430 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-323
Paquete / Caja (carcasa) SC-70, SOT-323
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres DMN2065UW-7DICT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad mínima: 3,000
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  • Cantidad mínima: 1
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