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3,000 0.11990 $359.70
6,000 0.11385 $683.10
15,000 0.10478 $1,571.63
30,000 0.09873 $2,961.75
75,000 0.08965 $6,723.75
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key DMN2005LP4KDITR-ND
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Cantidad disponible 186,000
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

DMN2005LP4K-7

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Descripción MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN
Copiar   MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN
Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 200mA (Ta) 400mW (Ta) X2-DFN1006-3

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Documentos y medios
Hojas de datos DMN2005LP4K
Información de RoHS Diodes RoHS 3 Cert
Diseño/especificación de PCN Bond Wire 11/Nov/2011
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Assembly/Test Sit Add 1/Mar/2018
Mult Dev Wafer Fab Add 8/Aug/2012
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Empaquetado ? Cinta y rollo (TR) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 200mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.5V, 4V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.5Ohm a 10mA, 4V
Vgs(th) (máx.) en Id 900mV a 100µA
Vgs (máx.) ±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 41pF @ 3V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 400mW (Ta)
Temperatura de operación -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor X2-DFN1006-3
Paquete / Caja (carcasa) 3-XFDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 3,000
Otros nombres DMN2005LP4K7
DMN2005LP4KDITR
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta cortada (CT) ? : DMN2005LP4KDICT-ND
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  • Cantidad disponible: 188,300 - Inmediata
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  • Cantidad mínima: 1
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11:07:01 5/23/2019