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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.45000 $0.45
10 0.33900 $3.39
25 0.30560 $7.64
100 0.16110 $16.11
500 0.14276 $71.38
1,000 0.11110 $111.10
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : DMN2005LP4KDITR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 141,000 - Inmediata
    84,000 - Stock en fábrica 
  • Precio unitario: $0.10166
  • Digi-Reel®  : DMN2005LP4KDIDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 145,720 - Inmediata
    84,000 - Stock en fábrica 
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

DMN2005LP4K-7

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key DMN2005LP4KDICT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante DMN2005LP4K-7
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Descripción MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN
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Plazo estándar del fabricante 15 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 200mA (Ta) 400mW (Ta) X2-DFN1006-3

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Documentos y medios
Hojas de datos DMN2005LP4K
Diseño/especificación de PCN Bond Wire 11/Nov/2011
Información de RoHS Diodes RoHS 3 Cert
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Assembly/Test Sit Add 1/Mar/2018
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 200mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.5V, 4V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.5Ohm a 10mA, 4V
Vgs(th) (máx) a Id 900mV a 100µA
Vgs (máx.) ±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 41pF @ 3V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 400mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor X2-DFN1006-3
Paquete / Caja (carcasa) 3-XFDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres DMN2005LP4KDICT