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10 0.32300 $3.23
25 0.28280 $7.07
100 0.15350 $15.35
500 0.12524 $62.62
1,000 0.09292 $92.92
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : DMN2004KDITR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 174,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.08161
  • Digi-Reel®  : DMN2004KDIDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 176,041 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

DMN2004K-7

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key DMN2004KDICT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante DMN2004K-7
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Descripción MOSFET N-CH 20V 0.63A SOT23-3
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 630mA (Ta) 350mW (Ta) SOT-23-3

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Documentos y medios
Hojas de datos DMN2004K
Diseño/especificación de PCN Green Encapsulate 15/May/2008
Bond Wire 3/May/2011
Información de RoHS Diodes RoHS 3 Cert
Hoja de datos de HTML DMN2004K
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Site Add 1/Jul/2020
Modelos EDA/CAD DMN2004K-7 by SnapEDA
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 630mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 550mOhm a 540mA, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id 1V a 250µA
Vgs (máx.) ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 150pF @ 16V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 350mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres DMN2004KDICT