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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.38000 $0.38
10 0.30900 $3.09
25 0.28240 $7.06
100 0.17730 $17.73
250 0.17528 $43.82
500 0.16412 $82.06
1,000 0.11161 $111.61
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : DMG7430LFG-7DITR-ND
  • Cantidad mínima: 2,000
  • Cantidad disponible: 86,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.10701
  • Digi-Reel®  : DMG7430LFG-7DIDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 87,558 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

DMG7430LFG-7

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key DMG7430LFG-7DICT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante DMG7430LFG-7
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Descripción MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333
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Plazo estándar del fabricante 17 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 10.5 A (Ta) 900mW (Ta) PowerDI3333-8

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Documentos y medios
Hojas de datos DMG7430LFG
Información de RoHS Diodes RoHS 3 Cert
Diseño/especificación de PCN Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013
Hoja de datos de HTML DMG7430LFG
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 10.5 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 11mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 26.7nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1281pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 900mW (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerDI3333-8
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres DMG7430LFG-7DICT