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250 0.15944 $39.86
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DMG6968U-7

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key DMG6968UDICT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante DMG6968U-7
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Descripción MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT-23
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 6.5 A (Ta) 1.3W (Ta) SOT-23-3

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Documentos y medios
Hojas de datos DMG6968U
Información de RoHS Diodes RoHS 3 Cert
Diseño/especificación de PCN Bond Wire 11/Nov/2011
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Wafer Chgs 4/Oct/2019
Otro PCN Multiple Device Changes 29/Apr/2013
Modelos EDA/CAD DMG6968U-7 by SnapEDA
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza No para diseños nuevos
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6.5 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8V, 4.5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 25mOhm a 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 900mV a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 8.5nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 151pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.3W (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres DMG6968UDICT