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DMG4932LSD-13 Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 30 V 9.5 A 1.19 W Montaje en superficie 8-SO
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1 0.75000 $0.75
10 0.63700 $6.37
100 0.48450 $48.45
500 0.36268 $181.34
1,000 0.28655 $286.55
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key DMG4932LSD-13DICT-ND
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Cantidad disponible 1,164
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

DMG4932LSD-13

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Descripción MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO
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Plazo estándar del fabricante 32 semanas
Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 30 V 9.5 A 1.19 W Montaje en superficie 8-SO

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Documentos y medios
Hojas de datos DMG4932LSD
Información de RoHS RoHS Cert
Diseño/especificación de PCN Bond Wire 11/Nov/2011
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Wafer Fab Add 8/Aug/2012
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal N (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 9.5 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 15 mOhm a 9 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 42 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1932 pF a 15 V
Potencia máxima 1.19 W
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Número de pieza base DMG4932LSD
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres DMG4932LSD-13DICT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : DMG4932LSD-13DITR-ND
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  • Cantidad disponible: 0
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  • Cantidad disponible: 1,164 - Inmediata
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03:25:43 12/16/2018