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DMG4800LSD-13 Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 30 V 7.5 A 1.17 W Montaje en superficie 8-SOP
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1 0.67000 $0.67
10 0.56900 $5.69
100 0.43260 $43.26
500 0.32384 $161.92
1,000 0.25585 $255.85
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key DMG4800LSD-13DICT-ND
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Cantidad disponible 89,840
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

DMG4800LSD-13

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Descripción MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
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Plazo estándar del fabricante 32 semanas
Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 30 V 7.5 A 1.17 W Montaje en superficie 8-SOP

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Documentos y medios
Hojas de datos DMG4800LSD
Información de RoHS RoHS Cert
Diseño/especificación de PCN Bond Wire 11/Nov/2011
Otro PCN Multiple Device Changes 29/Apr/2013
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal N (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 7.5 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 16 mOhm a 9 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.6 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 8.56 nC a 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 798 pF a 10 V
Potencia máxima 1.17 W
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOP
Número de pieza base DMG4800LSD
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres DMG4800LSD-13DICT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad disponible: 87,500 - Inmediata
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  • Cantidad disponible: 89,840 - Inmediata
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17:29:56 12/15/2018