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DMG3420U-7 Canal N Montaje en superficie 20V 5.47 A (Ta) 740 mW (Ta) SOT-23-3
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10 0.35400 $3.54
100 0.21120 $21.12
500 0.12256 $61.28
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key DMG3420U-7DICT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

DMG3420U-7

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Descripción MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 5.47 A (Ta) 740 mW (Ta) SOT-23-3

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Documentos y medios
Hojas de datos DMG3420U
Información de RoHS RoHS Cert
Diseño/especificación de PCN Bond Wire 11/Nov/2011
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Alt Wafer Source 26/Apr/2018
Otro PCN Multiple Device Changes 29/Apr/2013
Modelos EDA/CAD DMG3420U-7 by SnapEDA
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza No para diseños nuevos
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 5.47 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 29 mOhm a 6 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 5.4nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±12 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 434.7pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 740 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres DMG3420U-7DICT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : DMG3420U-7DITR-ND
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  • Cantidad disponible: 309,714 - Inmediata
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05:39:09 1/21/2019