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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key DMG3415UDICT-ND
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Cantidad disponible 1,851
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

DMG3415U-7

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Descripción MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 4 A (Ta) 900mW (Ta) SOT-23-3

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Documentos y medios
Hojas de datos DMG3415U
Información de RoHS RoHS Cert
Obsolescencia PCN/ EOL Mult Devices EOL 05/Feb/2019
Diseño/especificación de PCN Bond Wire 11/Nov/2011
Ensamble/origen de PCN Plating Site Addition 29/Jul/2015
Otro PCN Multiple Device Changes 29/Apr/2013
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Última compra
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8V, 4.5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 39mOhm a 4A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 9.1nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 294pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 900mW (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres DMG3415UDICT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : DMG3415UDITR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000  Agotado ?
  • Cantidad disponible: 300,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.10900

17:25:54 4/19/2019