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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key DMG2302U-7DICT-ND
Cantidad disponible 17,227
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

DMG2302U-7

Descripción MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Plazo estándar del fabricante 32 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 4.2 A (Ta) 800 mW (Ta) SOT-23-3

Documentos y medios
Hojas de datos DMG2302U
Información de RoHS RoHS, REACH Cert of Compliance
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Alt Wafer Source 26/Apr/2018
Otro PCN Multiple Device Changes 29/Apr/2013
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4.2 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 90 mOhm a 3.6 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1 V a 50 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 7nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±8 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 594.3pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 800 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres DMG2302U-7DICT

16:36:23 7/19/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.46000 $0.46
10 0.36200 $3.62
100 0.24870 $24.87
500 0.17056 $85.28
1,000 0.12793 $127.93

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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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