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DMG1012UW-7 Canal N Montaje en superficie 20V 1 A (Ta) 290 mW (Ta) SOT-323
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1 0.40000 $0.40
10 0.35900 $3.59
100 0.20360 $20.36
500 0.11142 $55.71
1,000 0.07741 $77.41
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key DMG1012UW-7DICT-ND
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Cantidad disponible 577,976
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

DMG1012UW-7

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Descripción MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 1 A (Ta) 290 mW (Ta) SOT-323

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Documentos y medios
Hojas de datos DMG1012UW
Información de RoHS RoHS Cert
Diseño/especificación de PCN Bond Wire 3/May/2011
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Wafer Fab Add 8/Aug/2012
Otro PCN Multiple Device Changes 29/Apr/2013
Hoja de datos de HTML DMG1012UW
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 450 mOhm a 600 mA, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 0.74nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±6 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 60.67pF @ 16V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 290 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-323
Paquete / Caja (carcasa) SC-70, SOT-323
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres DMG1012UW-7DICT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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09:27:59 1/20/2019