USD
Favorito

DMG1012UW-7 Canal N Montaje en superficie 20V 1 A (Ta) 290mW (Ta) SOT-323
Precio y compra
283,528 En Stock
Disponible para envío inmediato
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.33000 $0.33
10 0.27100 $2.71
25 0.22720 $5.68
100 0.11110 $11.11
250 0.10932 $27.33
500 0.09266 $46.33
1,000 0.06439 $64.39
Se pueden aplicar tarifas de importación a esta pieza si se envía a los Estados Unidos.

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : DMG1012UW-7DITR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 279,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.05984
  • Digi-Reel®  : DMG1012UW-7DIDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 283,684 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

DMG1012UW-7

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key DMG1012UW-7DICT-ND
Copiar  
Fabricante

Copiar  
Número de pieza del fabricante DMG1012UW-7
Copiar  
Descripción MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
Copiar  
Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 1 A (Ta) 290mW (Ta) SOT-323

Copiar  
Documentos y medios
Hojas de datos DMG1012UW
Diseño/especificación de PCN Bond Wire 3/May/2011
Otro PCN Multiple Device Changes 29/Apr/2013
Información de RoHS Diodes RoHS 3 Cert
Hoja de datos de HTML DMG1012UW
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Wafer Chgs 4/Oct/2019
Modelos EDA / CAD Descargar de Ultra Librarian
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 1 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 450mOhm a 600mA, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id 1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 0.74nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 60.67pF @ 16V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 290mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-323
Paquete / Caja (carcasa) SC-70, SOT-323
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
También le puede interesar

DMG1013UW-7

MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323

Diodes Incorporated

$0.33000 Detalles

BLM18HE152SN1D

FERRITE BEAD 1.5 KOHM 0603 1LN

Murata Electronics

$0.21000 Detalles

DMN3404L-7

MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23

Diodes Incorporated

$0.38000 Detalles

NUP4114HMR6T1G

TVS DIODE 5.5V 10V 6TSOP

ON Semiconductor

$0.53000 Detalles

DMG2305UX-13

MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23

Diodes Incorporated

$0.37000 Detalles

1N4148WT

DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD523F

ON Semiconductor

$0.17000 Detalles
Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres DMG1012UW-7DICT