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1 0.38000 $0.38
10 0.28300 $2.83
25 0.24760 $6.19
100 0.13430 $13.43
250 0.13364 $33.41
500 0.10958 $54.79
1,000 0.08131 $81.31
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : BSS84W-FDITR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 228,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.07141
  • Digi-Reel®  : BSS84W-FDIDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 229,685 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

BSS84W-7-F

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key BSS84W-FDICT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante BSS84W-7-F
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Descripción MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323
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Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 50V 130mA (Ta) 200mW (Ta) SOT-323

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Documentos y medios
Hojas de datos BSS84W Datasheet
Diseño/especificación de PCN Bond Wire 3/May/2011
Otro PCN Multiple Device Changes 29/Apr/2013
Información de RoHS Diodes RoHS 3 Cert
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Site Add 1/Jul/2020
Modelos EDA / CAD Descargar de Ultra Librarian
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 50V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 130mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 10Ohm a 100mA, 5V
Vgs(th) (máx) a Id 2V a 1mA
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 45pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 200mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-323
Paquete / Caja (carcasa) SC-70, SOT-323
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres BSS84W-FDICT