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1 0.48000 $0.48
10 0.38900 $3.89
25 0.35600 $8.90
100 0.22360 $22.36
250 0.22112 $55.28
500 0.20706 $103.53
1,000 0.14079 $140.79
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : BSS8402DW-FDITR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 132,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.13500
  • Digi-Reel®  : BSS8402DW-FDIDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 134,489 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

BSS8402DW-7-F

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key BSS8402DW-FDICT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante BSS8402DW-7-F
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Descripción MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6
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Plazo estándar del fabricante 13 semanas
Descripción detallada

MOSFET - Arreglos Canal N y P 60V, 50V 115mA, 130mA 200mW Montaje en superficie SOT-363

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Documentos y medios
Hojas de datos BSS8402DW Datasheet
Información de RoHS Diodes RoHS 3 Cert
Diseño/especificación de PCN Green Encapsulate Change 09/July/2007
Bond Wire 3/May/2011
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Wafer Chgs 4/Oct/2019
Otro PCN Multiple Device Changes 29/Apr/2013
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N y P
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V, 50V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 115mA, 130mA
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 7.5Ohm a 50mA, 5V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs -
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 50pF a 25V
Potencia máxima 200mW
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-363
Número de pieza base BSS8402DW
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres BSS8402DW-FDICT