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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSS8402DW-FDICT-ND
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Cantidad disponible 260,106
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

BSS8402DW-7-F

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Descripción MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6
Copiar   MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6
Plazo estándar del fabricante 20 semanas
Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Canal N y P 60 V, 50 V 115 mA, 130 mA 200 mW Montaje en superficie SOT-363

Copiar   Arreglo de MOSFET Canal N y P 60 V, 50 V 115 mA, 130 mA 200 mW Montaje en superficie SOT-363
Documentos y medios
Hojas de datos BSS8402DW Datasheet
Información de RoHS RoHS Cert
Diseño/especificación de PCN Green Encapsulate Change 09/July/2007
Bond Wire 3/May/2011
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Wafer Fab Add 8/Aug/2012
Otro PCN Multiple Device Changes 29/Apr/2013
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N y P
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V, 50 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 115 mA, 130 mA
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 7.5 Ohm a 50 mA, 5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs -
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 50 pF a 25 V
Potencia máxima 200 mW
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-363
Número de pieza base BSS8402DW
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres BSS8402DW-FDICT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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23:09:59 1/18/2019