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10 0.19000 $1.90
25 0.15920 $3.98
100 0.07780 $7.78
250 0.07656 $19.14
500 0.06488 $32.44
1,000 0.04508 $45.08
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : BSS84-FDITR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 1,230,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.02751
  • Digi-Reel®  : BSS84-FDIDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 1,232,308 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

BSS84-7-F

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key BSS84-FDICT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante BSS84-7-F
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Descripción MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 50V 130mA (Ta) 300mW (Ta) SOT-23-3

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Documentos y medios
Hojas de datos BSS84 Datasheet
Información de RoHS Diodes RoHS 3 Cert
Diseño/especificación de PCN Green Encapsulate 15/May/2008
Bond Wire 3/May/2011
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Wafer Chgs 4/Oct/2019
Modelos EDA / CAD Descargar de Ultra Librarian
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 50V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 130mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 10Ohm a 100mA, 5V
Vgs(th) (máx.) en Id 2V a 1mA
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 45pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 300mW (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres BSS84-FDICT