2N7002A-7 Diodes Incorporated | Productos semiconductores discretos

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2N7002A-7 Canal N Montaje en superficie 60V 180 mA (Ta) 370 mW (Ta) SOT-23

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Información general del producto

Número de pieza de Digi-Key	2N7002A-7DICT-ND	Copiar
Cantidad disponible	262,843 Disponible para envío inmediato
Fabricante	Diodes Incorporated	Copiar
Número de pieza del fabricante	2N7002A-7	Copiar
Descripción	MOSFET N-CH 60V 0.18A SOT23	Copiar
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60V 180 mA (Ta) 370 mW (Ta) SOT-23	Copiar

Documentos y medios

Hojas de datos	2N7002A Datasheet
Información de RoHS	RoHS Cert
Ensamble/origen de PCN	Plating Site Addition 29/Jul/2015 Mult Dev Alt Wafer Source 26/Apr/2018 Mult Dev Assembly Add 7/Dec/2018 Mult Dev Wafer Fab Add 8/Aug/2012

Atributos del producto	Seleccionar todos
Categorías	Productos semiconductores discretos
Categorías	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Empaquetado	Cinta cortada (CT)
Estado de la pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC	180 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C	6 Ohm a 115 mA, 5 V
Vgs(th) (máx.) en Id	2 V a 250µA
Vgs (máx.)	±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	23pF @ 25V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (máx.)	370 mW (Ta)
Temperatura de operación	-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3