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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 2N7002-FDICT-ND
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Cantidad disponible 6,780,440
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

2N7002-7-F

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Descripción MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Copiar   MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 115 mA (Ta) 370 mW (Ta) SOT-23-3

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Documentos y medios
Hojas de datos 2N7002 Datasheet
Información de RoHS RoHS Cert
Diseño/especificación de PCN Bond Wire 22/Sept/2008
Green Encapsulate 15/May/2008
Bond Wire 11/Nov/2011
Ensamble/origen de PCN Plating Site Addition 29/Jul/2015
Mult Dev Wafer Fab Add 8/Aug/2012
Hoja de datos de HTML 2N7002 Datasheet
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
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Categorías
Fabricante Diodes Incorporated
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 115 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 7.5 Ohm a 50 mA, 5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 250µA
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 50pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 370 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres 2N7002-FDICT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : 2N7002-FDITR-ND
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  • Cantidad disponible: 6,780,440 - Inmediata
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09:07:36 2/23/2019