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S34MS08G201BHI000 Memoria FLASH - NAND Memoria IC 8 Gb (1 G x 8) Paralelo 45ns 63-BGA (11x9)
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S34MS08G201BHI000

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Número de pieza de Digi-Key 1274-1168-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante S34MS08G201BHI000
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Descripción IC FLASH 8G PARALLEL 63BGA
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Descripción detallada

Memoria FLASH - NAND Memoria IC 8 Gb (1 G x 8) Paralelo 45ns 63-BGA (11x9)

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Documentos y medios
Hojas de datos S34MS08G2
Información de RoHS RoHS3 Certificate
Producto destacado Cypress Memory Products
Diseño/especificación de PCN Mult Device Serial No Mark 26/Sep/2017
Embalaje de PCN Mult Devices 19/Jul/2017
Ship Label/Document Standardization 24/Jan/2018
Otro PCN Mult Devices 01/Apr/2019
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Cypress Semiconductor Corp
Serie MS-2
Empaquetado Bandeja 
Estado de la pieza Activo
Tipo de memoria No volátil
Formato de la memoria Memoria flash
Tecnología Memoria FLASH - NAND
Capacidad de memoria 8 Gb (1 G x 8)
Interfaz de memoria Paralelo
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página 45ns
Tiempo de acceso 45ns
Voltaje de la fuente 1.7V ~ 1.95V
Temperatura de operación -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 63-VFBGA
Paquete del dispositivo del proveedor 63-BGA (11x9)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 horas)
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