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CY7C2644KV18-300BZXI SRAM - sincrónico, QDR II+ Memoria IC 144Mb (4M x 36) Paralelo 300MHz 165-FBGA (15x17)
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CY7C2644KV18-300BZXI

Hoja de datos
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante CY7C2644KV18-300BZXI
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Descripción IC SRAM 144M PARALLEL 165FBGA
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Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Descripción detallada

SRAM - sincrónico, QDR II+ Memoria IC 144Mb (4M x 36) Paralelo 300MHz 165-FBGA (15x17)

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Documentos y medios
Hojas de datos CY7C2642/44KV18
Archivo de video Cypress’ IoT Memory: Power Snooze SRAM
Información de RoHS RoHS3 Certificate
Producto destacado Cypress Memory Products
Diseño/especificación de PCN Mult Device Serial No Mark 26/Sep/2017
Mult Dev Mark REV 9/Jul/2018
Ensamble/origen de PCN 36M SYNC/144M QDR 23/Sep/2016
Embalaje de PCN Date Code/Shelf Life Chgs 18/Jul/2019
Otro PCN Multiple Updates 27/Mar/2015
Hoja de datos de HTML CY7C2642/44KV18
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Cypress Semiconductor Corp
Serie -
Empaquetado Bandeja 
Estado de la pieza Activo
Tipo de memoria Volátil
Formato de la memoria SRAM
Tecnología SRAM - sincrónico, QDR II+
Capacidad de memoria 144Mb (4M x 36)
Interfaz de memoria Paralelo
Frecuencia de reloj 300MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página -
Voltaje de la fuente 1.7V ~ 1.9V
Temperatura de operación -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 165-LBGA
Paquete del dispositivo del proveedor 165-FBGA (15x17)
Número de pieza base CY7C2644
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 horas)
Recursos adicionales
Envase estándar 105