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CY7C25632KV18-400BZXI Memoria IC SRAM - sincrónico, QDR II+ 72 Mb (4 M x 18) Paralelo 165-FBGA (13x15)
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key CY7C25632KV18-400BZXI-ND
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Número de pieza del fabricante

CY7C25632KV18-400BZXI

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Descripción IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA
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Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Descripción detallada

Memoria IC SRAM - sincrónico, QDR II+ 72 Mb (4 M x 18) Paralelo 165-FBGA (13x15)

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Categorías
Fabricante Cypress Semiconductor Corp
Serie -
Empaquetado ? Bandeja ?
Estado de la pieza Activo
Tipo de memoria Volátil
Formato de la memoria SRAM
Tecnología SRAM - sincrónico, QDR II+
Capacidad de memoria 72 Mb (4 M x 18)
Frecuencia de reloj 400MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página -
Interfaz de memoria Paralelo
Voltaje de la fuente 1.7V ~ 1.9V
Temperatura de operación -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 165-LBGA
Paquete del dispositivo del proveedor 165-FBGA (13x15)
Número de pieza base CY7C25632
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 horas)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 136
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