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CY7C1612KV18-333BZC Memoria IC SRAM - sincrónico, QDR II 144 Mb (8 M x 18) Paralelo 165-FBGA (15x17)
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key CY7C1612KV18-333BZC-ND
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Cantidad disponible 0
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

CY7C1612KV18-333BZC

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Descripción IC SRAM 144M PARALLEL 165FBGA
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Plazo estándar del fabricante 15 semanas
Descripción detallada

Memoria IC SRAM - sincrónico, QDR II 144 Mb (8 M x 18) Paralelo 165-FBGA (15x17)

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Categorías
Fabricante Cypress Semiconductor Corp
Serie -
Empaquetado ? Bandeja ?
Estado de la pieza Activo
Tipo de memoria Volátil
Formato de la memoria SRAM
Tecnología SRAM - sincrónico, QDR II
Capacidad de memoria 144 Mb (8 M x 18)
Frecuencia de reloj 333MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página -
Interfaz de memoria Paralelo
Voltaje de la fuente 1.7 V ~ 1.9 V
Temperatura de operación 0 °C ~ 70 °C (TA)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 165-LBGA
Paquete del dispositivo del proveedor 165-FBGA (15x17)
Número de pieza base CY7C1612
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / No cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 horas)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 105
Otros nombres CY7C1612KV18333BZC

18:24:57 11/20/2018