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CY7C1381KV33-100BZXI Memoria IC SRAM - sincrónico 18 Mb (512 K x 36) Paralelo 8.5ns 165-FBGA (13x15)
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Cantidad
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1 30.11000 $30.11
10 28.30800 $283.08
25 27.33560 $683.39
50 26.46740 $1,323.37
136 23.28912 $3,167.32
272 22.66393 $6,164.59

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key CY7C1381KV33-100BZXI-ND
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Cantidad disponible 171
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

CY7C1381KV33-100BZXI

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Descripción IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Memoria IC SRAM - sincrónico 18 Mb (512 K x 36) Paralelo 8.5ns 165-FBGA (13x15)

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Documentos y medios
Hojas de datos CY7C1381KV(E)3, CY7C1381KV(E)33
Archivo de video Cypress’ IoT Memory: Power Snooze SRAM
Información de RoHS RoHS Certificate
Producto destacado Cypress Memory Products
Diseño/especificación de PCN Mult Dev Mark REV 9/Jul/2018
Ensamble/origen de PCN Mult Devices 11/Jun/2018
Embalaje de PCN Mult Devices 19/Jul/2017
Ship Label/Document Standardization 24/Jan/2018
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Cypress Semiconductor Corp
Serie -
Empaquetado ? Bandeja ?
Estado de la pieza Activo
Tipo de memoria Volátil
Formato de la memoria SRAM
Tecnología SRAM - sincrónico
Capacidad de memoria 18 Mb (512 K x 36)
Frecuencia de reloj 100MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página -
Tiempo de acceso 8.5ns
Interfaz de memoria Paralelo
Voltaje de la fuente 3.135 V ~ 3.6 V
Temperatura de operación -40 °C ~ 85 °C (TA)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 165-LBGA
Paquete del dispositivo del proveedor 165-FBGA (13x15)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 horas)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 136

12:34:56 11/19/2018