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CY7C1150KV18-400BZXI Memoria IC SRAM - sincrónico, DDR II 18 Mb (512 K x 36) Paralelo 165-FBGA (13x15)
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1 41.91000 $41.91
10 38.86900 $388.69
25 37.49480 $937.37
50 36.56240 $1,828.12
136 32.02272 $4,355.09
272 31.13934 $8,469.90

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key CY7C1150KV18-400BZXI-ND
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Cantidad disponible 136
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

CY7C1150KV18-400BZXI

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Descripción IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
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Descripción detallada

Memoria IC SRAM - sincrónico, DDR II 18 Mb (512 K x 36) Paralelo 165-FBGA (13x15)

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Documentos y medios
Hojas de datos CY7C11(48,50)KV18
Archivo de video Cypress’ IoT Memory: Power Snooze SRAM
Información de RoHS RoHS Certificate
Producto destacado Cypress Memory Products
Diseño/especificación de PCN Mult Dev Mark REV 9/Jul/2018
Ensamble/origen de PCN Qualification of Die Attach Film 13/Dec/2013
Embalaje de PCN Mult Devices 19/Jul/2017
Ship Label/Document Standardization 24/Jan/2018
Otro PCN Multiple Updates 27/Mar/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Cypress Semiconductor Corp
Serie -
Empaquetado ? Bandeja ?
Estado de la pieza Activo
Tipo de memoria Volátil
Formato de la memoria SRAM
Tecnología SRAM - sincrónico, DDR II
Capacidad de memoria 18 Mb (512 K x 36)
Frecuencia de reloj 400MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página -
Interfaz de memoria Paralelo
Voltaje de la fuente 1.7 V ~ 1.9 V
Temperatura de operación -40 °C ~ 85 °C (TA)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 165-LBGA
Paquete del dispositivo del proveedor 165-FBGA (13x15)
Número de pieza base CY7C1150
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 horas)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 136

18:17:04 12/9/2018