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CY14B104NA-ZS25XI Memoria IC NVSRAM (SRAM no volátil) 4 Mb (256 K x 16) Paralelo 25ns 44-TSOP II
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10 33.30600 $333.06
25 32.16160 $804.04
50 31.13980 $1,556.99
135 27.40067 $3,699.09
270 26.66507 $7,199.57

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key CY14B104NA-ZS25XI-ND
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Cantidad disponible 140
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

CY14B104NA-ZS25XI

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Descripción IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
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Plazo estándar del fabricante 10 semanas
Descripción detallada

Memoria IC NVSRAM (SRAM no volátil) 4 Mb (256 K x 16) Paralelo 25ns 44-TSOP II

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Categorías
Fabricante Cypress Semiconductor Corp
Serie -
Empaquetado ? Bandeja ?
Estado de la pieza Activo
Tipo de memoria No volátil
Formato de la memoria NVSRAM
Tecnología NVSRAM (SRAM no volátil)
Capacidad de memoria 4 Mb (256 K x 16)
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página 25 ns
Tiempo de acceso 25ns
Interfaz de memoria Paralelo
Voltaje de la fuente 2.7 V ~ 3.6 V
Temperatura de operación -40 °C ~ 85 °C (TA)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 44-TSOP (ancho 0.400", 10.16 mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 44-TSOP II
Número de pieza base CY14B104
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 horas)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 135
Otros nombres CY14B104NAZS25XI
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : CY14B104NA-ZS25XIT-ND
  • Cantidad mínima: 1,000  Agotado ?
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $24.82610

23:18:54 11/13/2018