• Artículo obsoleto.
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key CMF20120D-ND
Cantidad disponible 0
Fabricante

Número de pieza del fabricante

CMF20120D

Descripción MOSFET N-CH 1200V 42A TO-247-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 1200V 42 A (Tc) 215 W (Tc) TO-247-3

Documentos y medios
Hojas de datos CMF20120D
Notas de aplicación SiC MOSFET Isolated Gate Driver
Archivo de video Cree's Silicon Carbide Mosfets -- Another Geek Moment
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Cree/Wolfspeed
Serie Z-FET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Obsoleto
Tipo FET Canal N
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 42 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 20 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 90.8nC @ 20V
Vgs (máx.) +25 V, -5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1915pF @ 800V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 215 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 110 mOhm a 20 A, 20 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 135 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
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Envase estándar ? 600

17:58:46 2/20/2018

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