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C3M0075120J Canal N Montaje en superficie 1200V 30 A (Tc) 113.6W (Tc) D2PAK-7
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key C3M0075120J-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

C3M0075120J

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Descripción MOSFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
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Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 1200V 30 A (Tc) 113.6W (Tc) D2PAK-7

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Documentos y medios
Hojas de datos C3M0075120J
Producto destacado C3M Planar Mosfet Technology
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Cree/Wolfspeed
Serie C3M™
Empaquetado ? Granel ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 30 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 15V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 90mOhm a 20A, 15V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 51nC @ 15V
Vgs (máx.) +19V, -8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1350pF @ 1000V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 113.6W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK-7
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-8, D²Pak (7 conductores + lengüeta), TO-263CA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad mínima: 1,600  Agotado ?
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $13.30000

13:13:32 4/22/2019