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C3M0065100K Canal N Orificio pasante 1000V 35 A (Tc) 113.5W (Tc) TO-247-4L
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key C3M0065100K-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

C3M0065100K

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Descripción 1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET
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Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 1000V 35 A (Tc) 113.5W (Tc) TO-247-4L

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Documentos y medios
Hojas de datos C3M0065100K
Diseño/especificación de PCN C3M00y Design Chg Apr/2018
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Cree/Wolfspeed
Serie C3M™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1000V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 35 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 15V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 78mOhm a 20A, 15V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5V a 5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 35nC @ 15V
Vgs (máx.) +19V, -8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 660pF @ 600V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 113.5W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-4L
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-4
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) No aplicable
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