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C3M0065090D Canal N Orificio pasante 900V 36 A (Tc) 125W (Tc) TO-247-3
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C3M0065090D

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Fabricante

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Número de pieza del fabricante C3M0065090D
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Descripción MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3
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Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 900V 36 A (Tc) 125W (Tc) TO-247-3

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Hojas de datos C3M0065090D
Ensamble/origen de PCN C3M0065090Y 18/Jun/2019
Hoja de datos de HTML C3M0065090D
Biblioteca de artículos Use SiC-Based MOSFETs to Improve Power Conversion Efficiency
Producto destacado 900 V Silicon Carbide MOSFETs for Fast Switching Power Devices
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Cree/Wolfspeed
Serie C3M™
Embalaje Tubo 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 900V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 36 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 15V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 78mOhm a 20A, 15V
Vgs(th) (máx) a Id 2.1V a 5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 30.4nC @ 15V
Vgs (máx.) +18V, -8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 660pF @ 600V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
Para usar con

KIT-CRD-3DD12P

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