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C2M0160120D Canal N Orificio pasante 1200V 19 A (Tc) 125W (Tc) TO-247-3
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key C2M0160120D-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

C2M0160120D

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Descripción MOSFET N-CH 1200V 19A TO-247
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Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 1200V 19 A (Tc) 125W (Tc) TO-247-3

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Documentos y medios
Hojas de datos C2M0160120D
Producto destacado Cree - Silicon Carbide Power MOSFETs
SpeedFit™ Online Simulator
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Cree/Wolfspeed
Serie Z-FET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 19 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 20V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 196mOhm a 10A, 20V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5V a 500µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 32.6nC @ 20V
Vgs (máx.) +25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 527pF @ 800V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 125W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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