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C2M0080170P Canal N Orificio pasante 1700V 40 A (Tc) 277W (Tc) TO-247-4L
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key C2M0080170P-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

C2M0080170P

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Descripción ZFET SIC DMOSFET, 1700V VDS, RDS
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 1700V 40 A (Tc) 277W (Tc) TO-247-4L

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Documentos y medios
Hojas de datos C2M0080170P
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Categorías
Fabricante Cree/Wolfspeed
Serie C2M™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1700V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 40 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 20V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 125mOhm a 28A, 20V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 10mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 120nC @ 20V
Vgs (máx.) +25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2250pF @ 1000V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 277W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-4L
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-4
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) No aplicable
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