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CE3512K2-C1 Mosfet RF pHEMT FET 2V 10mA 12GHz 13.7dB 125mW 4-Micro-X
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1 1.09000 $1.09
10 0.97200 $9.72
25 0.92280 $23.07
100 0.75810 $75.81
250 0.70864 $177.16
500 0.62624 $313.12
1,000 0.49440 $494.40
2,500 0.46144 $1,153.60
5,000 0.43837 $2,191.84

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : CE3512K2-C1TR-ND
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  • Digi-Reel®  : CE3512K2-C1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 9,595 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®
  • Tira : CE3512K2-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 1,327 - Inmediata
  • Precio unitario: $1.39000

CE3512K2-C1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key CE3512K2-C1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante CE3512K2-C1
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Descripción RF FET 4V 12GHZ 4MICROX
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Plazo estándar del fabricante 7 semanas
Descripción detallada

Mosfet RF pHEMT FET 2V 10mA 12GHz 13.7dB 125mW 4-Micro-X

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Documentos y medios
Hojas de datos CE3512K2
Información de RoHS RoHS3 Cert
Producto destacado Small Signal GaAs FETs
Hoja de datos de HTML CE3512K2
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante CEL
Serie -
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo de transistor pHEMT FET
Frecuencia 12GHz
Ganancia 13.7dB
Voltaje - Prueba 2V
Corriente nominal (Amperios) 15mA
Cifra de ruido 0.5dB
Corriente de prueba 10mA
Alimentación - Salida 125mW
Voltaje nominal 4V
Paquete / Caja (carcasa) 4-Micro-X
Paquete del dispositivo del proveedor 4-Micro-X
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres CE3512K2-C1CT