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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 785-1517-5-ND
Cantidad disponible 156
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

AOTF11S65L

Descripción MOSFET N-CH 650V 11A TO220F
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 20 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 11 A (Tc) 31 W (Tc) TO-220-3F

Documentos y medios
Hojas de datos AOx(F)11S65
TO220F Pkg Drawing
Otros documentos relacionados AOS Green Policy
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie aMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 11 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 13.2nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 646pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 31 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 399 mOhm a 5.5 A, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3F
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres AOTF11S65L-ND

23:27:42 2/17/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.32000 $2.32
10 2.09400 $20.94
100 1.68300 $168.30
500 1.30900 $654.50
1,000 1.08460 $1,084.60

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