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AOT20S60L Canal N Orificio pasante 600V 20 A (Tc) 266 W (Tc) TO-220
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1 3.31000 $3.31
10 2.98800 $29.88
100 2.40080 $240.08
500 1.86726 $933.63
1,000 1.54715 $1,547.15
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 785-1251-5-ND
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Cantidad disponible 393
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

AOT20S60L

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Descripción MOSFET N-CH 600V 20A TO220
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Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 20 A (Tc) 266 W (Tc) TO-220

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Documentos y medios
Hojas de datos AOT/AOB/AOTF20S60
TO220 Pkg Drawing
Otros documentos relacionados AOS Green Policy
Información de RoHS RoHS Cert
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Assem/Test Chg 19/Jul/2018
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie aMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 20 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 199 mOhm a 10 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.1 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 19.8nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1038pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 266 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
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17:15:34 11/13/2018