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AONR66922 Canal N Montaje en superficie 100V 15 A (Ta), 50 A (Tc) 4.1W (Ta), 52W (Tc) 8-DFN-EP (3.3x3.3)
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.14000 $1.14
10 1.02100 $10.21
25 0.96880 $24.22
100 0.72660 $72.66
500 0.61588 $307.94
1,000 0.50170 $501.70
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : 785-1821-2-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 3,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.49478
  • Digi-Reel®  : 785-1821-6-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 5,870 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

AONR66922

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key 785-1821-1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante AONR66922
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Descripción 100V N-CHANNEL ALPHASGT T
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Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 15 A (Ta), 50 A (Tc) 4.1W (Ta), 52W (Tc) 8-DFN-EP (3.3x3.3)

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Documentos y medios
Información de RoHS Alpha & Omega RoHS3
Hojas de datos AONR66922
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie AlphaSGT™
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 15 A (Ta), 50 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 9mOhm a 15A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 46nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2180pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 4.1W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-DFN-EP (3.3x3.3)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerWDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres 785-1821-1