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AON7522E Canal N Montaje en superficie 30V 21 A (Ta), 34 A (Tc) 3.1 W (Ta), 31 W (Tc) 8-DFN (3x3)
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10 0.49800 $4.98
100 0.38030 $38.03
500 0.28602 $143.01
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 785-1505-1-ND
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Cantidad disponible 98,345
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

AON7522E

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Descripción MOSFET N-CH 30V 21A 8DFN
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Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 21 A (Ta), 34 A (Tc) 3.1 W (Ta), 31 W (Tc) 8-DFN (3x3)

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Documentos y medios
Hojas de datos AON7522E
DFN3x3-8L Pkg Drawing
Otros documentos relacionados AOS Green Policy
Información de RoHS RoHS Cert
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Assem/Test Chg 19/Jul/2018
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 21 A (Ta), 34 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4 mOhm a 20 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 45nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1540pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.1 W (Ta), 31 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-DFN (3x3)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerSMD, conductores planos
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres 785-1505-1
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : 785-1505-2-ND
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 98,345 - Inmediata
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07:57:07 12/13/2018