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AON7421 Canal P Montaje en superficie 20V 30 A (Ta), 50 A (Tc) 6.2W (Ta), 83W (Tc) 8-DFN-EP (3.3x3.3)
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10 0.93200 $9.32
100 0.75080 $75.08
500 0.59792 $298.96
1,000 0.48668 $486.68
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 785-1309-1-ND
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Cantidad disponible 94,641
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

AON7421

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Descripción MOSFET P-CH 20V 30A 8DFN
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Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 30 A (Ta), 50 A (Tc) 6.2W (Ta), 83W (Tc) 8-DFN-EP (3.3x3.3)

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Documentos y medios
Hojas de datos AON7421
Otros documentos relacionados AOS Green Policy
Información de RoHS Environmental Compliance Statement
Producto destacado AON7421/AON7423 MOSFET 20 V P-Channel
Ensamble/origen de PCN MOSFET Wafer Supplier 29/Oct/2013
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 30 A (Ta), 50 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.6mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 114nC @ 10V
Vgs (máx.) ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4550pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 6.2W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-DFN-EP (3.3x3.3)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerWDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres 785-1309-1
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : 785-1309-2-ND
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11:14:58 4/26/2019