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AON7407 Canal P Montaje en superficie 20V 14.5 A (Ta), 40 A (Tc) 3.1 W (Ta), 29 W (Tc) 8-DFN (3x3)
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10 0.56000 $5.60
100 0.42780 $42.78
500 0.32176 $160.88
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 785-1306-1-ND
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Cantidad disponible 107,586
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

AON7407

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Descripción MOSFET P-CH 20V 14.5A 8DFN
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Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 14.5 A (Ta), 40 A (Tc) 3.1 W (Ta), 29 W (Tc) 8-DFN (3x3)

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Documentos y medios
Hojas de datos AON7407
DFN3x3-8L Pkg Drawing
Otros documentos relacionados AOS Green Policy
Información de RoHS RoHS Cert
Ensamble/origen de PCN MOSFET Wafer Supplier 29/Oct/2013
Mult Dev Assem/Test Chg 19/Jul/2018
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 14.5 A (Ta), 40 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 9.5 mOhm a 14 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 900 mV a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 53nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±8 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4195pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.1 W (Ta), 29 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-DFN (3x3)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerSMD, conductores planos
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
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22:28:32 12/13/2018