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AON6278 Canal N Montaje en superficie 80V 34 A (Ta), 85 A (Tc) 7.4 W (Ta), 208 W (Tc) 8-DFN (5x6)
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10 2.46900 $24.69
100 2.02090 $202.09
500 1.61298 $806.49
1,000 1.36825 $1,368.25
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 785-1612-1-ND
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Cantidad disponible 1,739
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

AON6278

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Descripción MOSFET N-CH 80V 34A 8DFN
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Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 80V 34 A (Ta), 85 A (Tc) 7.4 W (Ta), 208 W (Tc) 8-DFN (5x6)

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Documentos y medios
Hojas de datos AON6278
DFN5x6_8L_EP1_P Pkg Drawing
Otros documentos relacionados AOS Green Policy
Información de RoHS RoHS Cert
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Categorías
Fabricante Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 34 A (Ta), 85 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.3 mOhm a 20 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 86nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4646pF @ 40V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 7.4 W (Ta), 208 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-DFN (5x6)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerSMD, conductores planos
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres 785-1612-1
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