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AON2290 Canal N Montaje en superficie 100V 4.5 A (Ta) 2.8 W (Ta) 6-DFN-EP (2x2)
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10 0.48600 $4.86
100 0.37160 $37.16
500 0.28010 $140.05
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 785-1606-1-ND
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Cantidad disponible 32,442
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

AON2290

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Descripción MOSFET N CH 100V 4.5A DFN 2X2B
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Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 4.5 A (Ta) 2.8 W (Ta) 6-DFN-EP (2x2)

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Documentos y medios
Hojas de datos AON2290
Otros documentos relacionados AOS Green Policy
Información de RoHS Environmental Compliance Statement
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Assem/Test Site Chg 12/Dec/2018
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4.5 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 72 mOhm a 4.5A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.8V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 12nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 415pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.8 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 6-DFN-EP (2x2)
Paquete / Caja (carcasa) Placa descubierta 6-UDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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  • 296-28376-1-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres 785-1606-1
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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00:28:34 3/24/2019