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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 785-1107-1-ND
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Cantidad disponible 17,500
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

AOD442

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Descripción MOSFET N-CH 60V 38A TO-252
Copiar   MOSFET N-CH 60V 38A TO-252
Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 7 A (Ta), 37 A (Tc) 2.1 W (Ta), 60 W (Tc) TO-252, (D-Pak)

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Documentos y medios
Hojas de datos AOD442
TO252 (DPAK) Pkg Drawing
Otros documentos relacionados AOS Green Policy
Información de RoHS RoHS Cert
Ensamble/origen de PCN Mult Devices Assembly 24/Apr/2018
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 7 A (Ta), 37 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 20 mOhm a 20 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.7 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 68nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2300pF @ 30V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.1 W (Ta), 60 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-252, (D-Pak)
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
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Otros nombres 785-1107-1
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12:13:30 11/14/2018