• Artículo obsoleto.
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 785-1352-1-ND
Cantidad disponible 0
Fabricante

Número de pieza del fabricante

AOD425

Descripción MOSFET P-CH 30V 9A TO252
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 30V 9 A (Ta), 50 A (Tc) 2.5 W (Ta), 71 W (Tc) TO-252, (D-Pak)

Documentos y medios
Hojas de datos AOD425
TO252 (DPAK) Pkg Drawing
Otros documentos relacionados AOS Green Policy
Obsolescencia PCN/ EOL EOL 27/Oct/2016
Mult Devices 20/Oct/2017
Mult Devices EOL Ext 16/Nov/2017
Cambio de estado de la pieza PCN Revision 13/Apr/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Obsoleto
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 9 A (Ta), 50 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5 V, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 38nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2200pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5 W (Ta), 71 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 17 mOhm @ 20 A, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-252, (D-Pak)
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres 785-1352-1

21:02:30 2/19/2018

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