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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 785-1264-1-ND
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Cantidad disponible 63,970
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

AOD11S60

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Descripción MOSFET N-CH 600V 11A TO252
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 600V 11 A (Tc) 208 W (Tc) TO-252, (D-Pak)

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Documentos y medios
Hojas de datos AOD11S60/AOI11S60
TO252 (DPAK) Pkg Drawing
Otros documentos relacionados AOS Green Policy
Información de RoHS RoHS Cert
Ensamble/origen de PCN Mult Devices Assembly 24/Apr/2018
Mult Dev Assembly/Test Add 8/May/2018
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie aMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza No para diseños nuevos
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 11 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 399 mOhm a 3.8 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.1 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 11nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 545pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 208 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-252, (D-Pak)
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres 785-1264-1
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : 785-1264-2-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
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  • Precio unitario: $1.04100
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  • Cantidad disponible: 63,970 - Inmediata
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11:54:20 11/12/2018